2005年08月10日

インターナショナル・レクティファイアー
耐圧３０Ｖの電源用パワーＭＯＳＦＥＴ２品種
～　裏表両面から放熱可能な小型金属パッケージＤｉｒｅｃｔＦＥＴ採用　～

　パワー・マネジメント（電源管理）技術で世界をリードするインターナショナル・レクティファイアー・ジャパン（ＩＲジャパン）株式会社（本社：東京都豊島区、江坂文秀代表取締役社長）は１０日、耐圧３０ＶのパワーＭＯＳＦＥＴ２品種（「ＩＲＦ６６２１」と「ＩＲＦ６６１２」）のサンプル出荷を開始しました。ＩＲ社独自の小型金属パッケージ　ＤｉｒｅｃｔＦＥＴ（ＴＭ）に収めました。インテル社製やＡＭＤ社製の最新のマイクロプロセッサ（ＭＰＵ）を採用したノート・パソコンに使うＤＣ－ＤＣコンバータ（＊１）向けです。
　ＩＲＦ６６２１は制御（コントロール）用のパワーＭＯＳＦＥＴ、ＩＲＦ６６１２は同期整流（シンクロナス）用のパワーＭＯＳＦＥＴです。ＤＣ－ＤＣコンバータの出力に、この２つのデバイスを組み合わせて使います。制御用ＭＯＳＦＥＴのＩＲＦ６６２１はスイッチング損失（ゲート電荷）を小さくしてあり、同期整流用ＭＯＳＦＥＴのＩＲＦ６６１２は導通損失（オン抵抗）と逆方向回復電荷を小さくしてあります。マルチフェーズ方式（＊２）ＤＣ－ＤＣコンバータの出力にこの２つのデバイスを組み合わせて使うと、１相当たり１８Ａのときに効率８７％以上、１相当たり１０Ａの中程度の電流では９０％以上の効率が得られます。

　ＩＲＦ６６２１は、ゲート電荷が１１．７ｎＣで、ゲート・ドレイン間電荷（ミラー電荷）が４．２ｎＣと小さいので、制御用ＭＯＳＦＥＴに最適です。小型のＤｉｒｅｃｔＦＥＴパッケージ（４．８ｍｍ×３．７ｍｍ）を採用しており、これは業界標準のパッケージＳＯ－８に比べて面積が３８％小さくなっています。
　ＩＲＦ６６１２は、オン抵抗が標準値で３．４ｍΩ（ゲート・ソース間電圧４．５Ｖのとき）と小さいため、中程度の電流（１相当たり１４Ａ～１８Ａ）の用途の同期整流用ＭＯＳＦＥＴに最適です。中型のＤｉｒｅｃｔＦＥＴパッケージ（６．３ｍｍ×４．８ｍｍ）を採用しているため、さらに大電流が必要な用途、またはさらに高い熱特性が要求される用途向けの同じ形状のＤｉｒｅｃｔＦＥＴシリーズであるＩＲＦ６６１１、ＩＲＦ６６７８、ＩＲＦ６６３５への移行が容易です。
　サンプル価格はＩＲＦ６６１２が２８０円、ＩＲＦ６６２１が２００円（いずれも税込み）の予定です。テープ・アンド・リールの形態で出荷できます。データシートと画像データはＩＲジャパンのホームページ（http://www.irf-japan.com）から入手できます。

＜特許を取得したＤｉｒｅｃｔＦＥＴ（ＴＭ）パッケージ技術＞
　インターナショナル・レクティファイアー（ＩＲ）社が特許を取得したＤｉｒｅｃｔＦＥＴパッケージは、標準のプラスチック・パッケージではこれまで実現できなかったまったく新しい設計上の利点を提供します。金属缶構造の採用により両面放熱が可能なので、最新のマイクロプロセッサに電力を供給する高周波動作のＤＣ－ＤＣコンバータの電流処理能力を実質的に倍増できます。また、ＤｉｒｅｃｔＦＥＴパッケージを採用したデバイスは、欧州の規制ＲｏＨｓ（特定物質の使用規制）に準拠しており、鉛や臭化物を含有していません。
　ＤｉｒｅｃｔＦＥＴ技術は、米国特許６６２４５２２、６７８４５４０など多くの米国および外国に申請中の特許によって保護されています。

＜　表　製品化した耐圧３０ＶのＤｉｒｅｃｔＦＥＴパワーＭＯＳＦＥＴ２品種の概要　＞

型番　　　　　　　　　　　　　　　　　 ＩＲＦ６６１２
オン抵抗（ＶＧＳ＝１０Ｖ）　　　　　 ３．３ｍΩ
オン抵抗（ＶＧＳ＝４．５Ｖ）　　　　 ４．４ｍΩ
ゲート・ソース間電圧（最大値）　　２０Ｖ
ドレイン電流　　　　　　　　　　　　　１３６Ａ
ゲート電荷　　　　　　　　　　　　　　３０ｎＣ
ゲート・ドレイン間電荷　　　　　　　１０ｎＣ

型番　　　　　　　　　　　　　　　　　 ＩＲＦ６６２１
オン抵抗（ＶＧＳ＝１０Ｖ）　　　　　 ９．１ｍΩ
オン抵抗（ＶＧＳ＝４．５Ｖ）　　　　 １２．１ｍΩ
ゲート・ソース間電圧（最大値）　　２０Ｖ
ドレイン電流　　　　　　　　　　　　　５５Ａ
ゲート電荷　　　　　　　　　　　　　　１１．７ｎＣ
ゲート・ドレイン間電荷　　　　　　　４．２ｎＣ

注１）　オン抵抗は最大値。ＶＧＳはゲート・ソース間電圧。
注２）　ドレイン電流はパッケージ温度が２５℃のとき。
注３）　ゲート電荷とゲート・ドレイン間電荷は標準値。

＜用語説明＞
＊１）　ＤＣ－ＤＣコンバータ：直流電圧を直流電圧に変換する回路です。パソコンやインターネット機器などの内部で基準とする電圧の１２Ｖを、論理ＩＣやマイクロプロセッサ（ＭＰＵ）などのＩＣを動作させるためのさまざまな電源電圧、例えば５Ｖ、３．３Ｖ、１．７Ｖ、１．２Ｖなどの電圧に変換する回路です。ＤＣ－ＤＣコンバータの出力回路は一般的に、制御（コントロール）用のＭＯＳＦＥＴと同期整流（シンクロナス）用のＭＯＳＦＥＴを組み合わせて構成します。制御用ＭＯＳＦＥＴには、スイッチング速度を速くするためにゲート電荷を小さくすることが要求されます。一方、同期整流用　ＭＯＳＦＥＴには、導通時のＭＯＳＦＥＴ自体の内部抵抗（オン抵抗）が小さいことが要求されます。トランジスタ素子（デバイス）を製造する上でオン抵抗とゲート電荷は相反関係にあるため、制御用か同期整流用かといった用途に合わせて最適化しています。
＊２）　マルチフェーズ方式：複数の電源回路を並列に動作させ、その出力位相をずらして加算してからＭＰＵなどに電力を供給する方法です。抵抗などによる損失を低減でき、各電源回路の負荷も軽減できます。

＜インターナショナル・レクティファイアー（ＩＲ（Ｒ））社について＞
　ＩＲ社はパワー・マネジメント（電源管理）技術のリーダーです。ＩＲ社のアナログＩＣ、アナログ／デジタル混在ＩＣ、最先端デバイス、電源回路やモーター制御回路の部品やシステムは、コンピュータ、インバータ・モーター搭載の白物家電製品、照明器具、車載用電子機器、宇宙航空用電子機器など幅広い分野において、機器の小型化、省エネ化、高機能化に貢献しています。本社は米国カリフォルニア州エルセグンド。
注：ＩＲ（Ｒ）、ＤｉｒｅｃｔＦＥＴ（ＴＭ）は、Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｒｅｃｔｉｆｉｅｒ　Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎの商標または登録商標です。当資料に記載されるその他の製品名の商標はそれぞれの所有者に帰属します。

インターナショナル　レクティファイアー　ジャパン（株） ｜2005年08月10日 11:09

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